Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=700 V, 6.5 A, TO-220 FP, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS™ P7系列
- RS 库存编号:
- 215-2483
- 制造商零件编号:
- IPA70R750P7SXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB4.666 | RMB233.30 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-2483
- 制造商零件编号:
- IPA70R750P7SXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6.5 A | |
| 最大漏源电压 | 700 V | |
| 封装类型 | TO-220 FP | |
| 系列 | CoolMOS™ P7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.75 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6.5 A | ||
最大漏源电压 700 V | ||
封装类型 TO-220 FP | ||
系列 CoolMOS™ P7 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.75 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon 700V cool mos ™ P7 超结 mosfet 系列与当今使用的超级接线技术相比，具有基本的性能提升，可满足低功率的开关电源市场的需求，例如手机充电器或笔记本电脑适配器。该技术符合最高效率标准、并支持高功率密度、使客户可以实现超薄设计。最新的 coolmos ™ P7 是一款针对消费市场中的成本敏感型应用（如充电器、适配器、照明、电视等）定制的优化平台
由于极低的 fomrds(on) *qg 和 rds(on) *eoss ，损耗极低
极佳的热行为
集成 esd 保护二极管
低切换损耗（ eoss ）
极佳的热行为
集成 esd 保护二极管
低切换损耗（ eoss ）