Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 13 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, CoolMOS™ C7系列

Infineon 600V cool mos ™ C7 超接点（ sj ） mosfet 系列的关闭损耗（ e oss ）比 cool mos ™ cp 减少 ∼50% ，在 pfc 、 ttf 和其他硬切换拓扑结构中提供卓越的性能。IPL60R185C7 还是高功率密度充电器设计的完美匹配。效率和 tco （总拥有成本）应用，如超数据中心和高效电信整流器 (96%)>，得益于 cool mos ™ C7 提供的更高效率。可以在 PFC 拓扑中实现 0.3% 至 0.7% 的增益，在 LLC 中实现 0.1% 的增益。例如，对于 2.5kw 服务器 psu ，使用采用 to-247 4pin 封装的 600V cool mos ™ C7 sj 型功率半导体器件， psu 能量损耗可降低 ∼10% 的能耗。

减小开关损耗参数，如 Q G、C oss、E oss
同类最佳的品质因数 Q G*R DS（接通）
增加切换频率
全球最佳的 R（接通）*A
坚固的体二极管