小计(1 卷,共 3000 件)*
¥12,477.00
(不含税)
¥14,100.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2025年11月17日 发货
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单位 | 每单位 | 每卷* |
---|---|---|
3000 + | RMB4.159 | RMB12,477.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-8914
- 制造商零件编号:
- TN2124K1-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
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品牌 | Microchip | |
通道类型 | N | |
最大漏源电压 | 240 V | |
封装类型 | SOT-23 | |
安装类型 | 通孔 | |
选择全部 | ||
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品牌 Microchip | ||
通道类型 N | ||
最大漏源电压 240 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 通孔 | ||
Microchip N 通道低限值增强模式(正常关闭)MOSFET 利用垂直 DMOS 结构和经过验证的硅门制造工艺。此组合可产生一个具有双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。此设备具有所有 MOS 结构的特点,无热逃生和热引起的次级破坏。垂直 DMOS FET 特别适用于各种切换和放大应用,这些应用需要非常低的临界电压、高断路电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度。
不会出现次级故障
低功率驱动要求
易于并行
低 CISS 和快速切换速度
出色的热稳定性
一体式源排放二极管
高输入阻抗和高增益
低功率驱动要求
易于并行
低 CISS 和快速切换速度
出色的热稳定性
一体式源排放二极管
高输入阻抗和高增益