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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB6.904 | RMB69.04 |
| 50 - 90 | RMB6.769 | RMB67.69 |
| 100 - 240 | RMB5.519 | RMB55.19 |
| 250 - 990 | RMB5.408 | RMB54.08 |
| 1000 + | RMB5.296 | RMB52.96 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-8925
- 制造商零件编号:
- TN5335K1-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 通道类型 | N | |
| 最大漏源电压 | 350 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
通道类型 N | ||
最大漏源电压 350 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 通孔 | ||
Microchip N 通道低限值增强模式(正常关闭)MOSFET 利用垂直 DMOS 结构和经过验证的硅门制造工艺。此组合可产生一个具有双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。此设备具有所有 MOS 结构的特点,无热逃生和热引起的次级破坏。垂直 DMOS FET 特别适用于各种切换和放大应用,这些应用需要非常低的临界电压、高断路电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度。
低临界值
高输入阻抗
低输入电容
快速切换速度
低接通电阻
不会出现次级故障
低输入和输出泄漏
高输入阻抗
低输入电容
快速切换速度
低接通电阻
不会出现次级故障
低输入和输出泄漏