TP0620N3-G | Microchip P沟道MOS管, Vds=200 V, TO-92, 通孔安装 | RS
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MOSFET
Microchip P沟道MOS管, Vds=200 V, TO-92, 通孔安装
RS 库存编号:
264-8926
制造商零件编号:
TP0620N3-G
制造商:
Microchip
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264-8926
制造商零件编号:
TP0620N3-G
制造商:
Microchip
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
产品技术参数
Datasheet - TP0620N3-G
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Microchip P 通道低临界值、增强模式(正常关闭)MOSFET 利用垂直 DMOS 结构和经验丰富的硅门制造工艺。此组合可产生一个具有双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。此设备具有所有 MOS 结构的特点,无热逃生和热引起的次级破坏。垂直 DMOS FET 特别适用于各种切换和放大应用,这些应用需要非常低的临界电压、高断路电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度。
低临界值 (-2.4V 最大值)
高输入阻抗
低输入电容(85pF 典型值)
快速切换速度
低接通电阻
不会出现次级故障
低输入和输出泄漏
该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。
属性
数值
通道类型
P
最大漏源电压
200 V
封装类型
TO-92
安装类型
通孔
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