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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB12.606 | RMB63.03 |
| 50 - 95 | RMB12.354 | RMB61.77 |
| 100 - 245 | RMB7.782 | RMB38.91 |
| 250 - 495 | RMB7.548 | RMB37.74 |
| 500 + | RMB7.322 | RMB36.61 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-8945
- 制造商零件编号:
- VN2406L-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 通道类型 | N | |
| 最大漏源电压 | 240 V | |
| 封装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
通道类型 N | ||
最大漏源电压 240 V | ||
封装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
Microchip P 通道低临界值、增强模式(正常关闭)MOSFET 利用垂直 DMOS 结构和经验丰富的硅门制造工艺。此组合可产生一个具有双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。此设备具有所有 MOS 结构的特点,无热逃生和热引起的次级破坏。垂直 DMOS FET 特别适用于各种切换和放大应用,这些应用需要非常低的临界电压、高断路电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度。
不会出现次级故障
低功率驱动要求
易于并行
低 CISS 和快速切换速度
出色的热稳定性
一体式源排放二极管
高输入阻抗和高增益
低功率驱动要求
易于并行
低 CISS 和快速切换速度
出色的热稳定性
一体式源排放二极管
高输入阻抗和高增益