Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 30 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

RS 库存编号:: 541-0042
制造商零件编号:: IRFP250NPBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 30 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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制造商零件编号:: IRFP250NPBF
制造商:: Infineon

N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，30A 最大连续漏极电流，214W 最大功率耗散 - IRFP250NPBF

这款功率 MOSFET 专为各种电子应用的高性能而设计。作为 N 沟道 MOSFET，它能在施加电压时有效增强电流。其显著特点是能够在保持低导通电阻的同时管理高电流水平，因此适用于功率密集型应用。

特点和优势

• 30A 的连续额定漏极电流支持强劲的性能
• 214 瓦的功率耗散能力可满足重型应用的需要
• 200V 的最大漏极-源极电压有助于提高器件的可靠性
• 75 mΩ 的低 Rds(on)最大限度地减少了运行过程中的能量损耗
• 增强模式可改善电路应用中的控制和效率
• 与 TO-247AC 封装兼容，可无缝集成到现有系统中

应用

• 工业自动化电源
• 驱动电子电路中的大电流负载
• 可再生能源系统中的变流器和逆变器
• 电机控制需要快速切换

这种 MOSFET 如何应对高温？

它的最高工作温度为 +175°C ，可在高热环境下有效工作，确保在压力下保持稳定的性能。

指定的抗药性有什么影响？

75 mΩ 的低 Rds(on) 值降低了功率损耗，提高了整体效率，并减少了使用过程中的发热量。

该设备是否适合脉冲应用？

是的，它可以处理高达 120A 的脉冲漏极电流，因此适合短时大电流应用。

运行期间如何管理栅极电压？

该器件的栅极到源极电压范围为 -20 V 至 +20 V，为各种控制电路提供了灵活性。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

属性	数值
通道类型	N
最大连续漏极电流	30 A
最大漏源电压	200 V
封装类型	TO-247AC
系列	HEXFET
安装类型	通孔
引脚数目	3
最大漏源电阻值	75 mΩ
通道模式	增强
最大栅阈值电压	4V
最小栅阈值电压	2V
最大功率耗散	214 W
晶体管配置	单
最大栅源电压	-20 V、+20 V
晶体管材料	Si
典型栅极电荷@Vgs	123 nC @ 10 V
每片芯片元件数目	1
宽度	5.3mm
最高工作温度	+175 °C
长度	15.9mm
最低工作温度	-55 °C
高度	20.3mm
正向二极管电压	1.3V