Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=400 V, 10 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 542-9406
- Distrelec 货号:
- 171-15-868
- 制造商零件编号:
- IRF740SPBF
- 制造商:
- Vishay
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---|---|
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- 制造商零件编号:
- IRF740SPBF
- 制造商:
- Vishay
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选择全部 | 属性 | 值 |
---|---|---|
品牌 | Vishay | |
通道类型 | N | |
最大连续漏极电流 | 10 A | |
最大漏源电压 | 400 V | |
封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
安装类型 | 贴片 | |
引脚数目 | 3 | |
最大漏源电阻值 | 550 mΩ | |
通道模式 | 增强 | |
最小栅阈值电压 | 2V | |
最大功率耗散 | 3.1 W | |
晶体管配置 | 单 | |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
长度 | 10.67mm | |
最高工作温度 | +150 °C | |
宽度 | 9.65mm | |
典型栅极电荷@Vgs | 63 nC @ 10 V | |
晶体管材料 | Si | |
最低工作温度 | -55 °C | |
高度 | 4.83mm | |
选择全部 | ||
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品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 10 A | ||
最大漏源电压 400 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 550 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 3.1 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 10.67mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 9.65mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 4.83mm | ||