IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 27 A, TO-264AA, 通孔安装, 3引脚, HiperFET, Q-Class系列

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包装方式：
RS 库存编号:
711-5382P
制造商零件编号:
IXFK27N80Q
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

通道类型

N

最大连续漏极电流

27 A

最大漏源电压

800 V

封装类型

TO-264AA

系列

HiperFET, Q-Class

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

320 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4.5V

最大功率耗散

500 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

宽度

5.13mm

典型栅极电荷@Vgs

170 nC @ 10 V

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

长度

19.96mm

最低工作温度

-55 °C

高度

26.16mm

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q 系列


N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



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