onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 39 A, PQFN8, 贴片安装, 8引脚, PowerTrench系列
- RS 库存编号:
- 739-4857P
- 制造商零件编号:
- FDMS86104
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
---|---|
1 + | RMB16.30 |
* 参考价格
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- 739-4857P
- 制造商零件编号:
- FDMS86104
- 制造商:
- onsemi
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选择全部 | 属性 | 值 |
---|---|---|
品牌 | onsemi | |
通道类型 | N | |
最大连续漏极电流 | 39 A | |
最大漏源电压 | 100 V | |
封装类型 | PQFN8 | |
系列 | PowerTrench | |
安装类型 | 贴片 | |
引脚数目 | 8 | |
最大漏源电阻值 | 40 mΩ | |
通道模式 | 增强 | |
最小栅阈值电压 | 2V | |
最大功率耗散 | 73 W | |
晶体管配置 | 单 | |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
长度 | 5mm | |
典型栅极电荷@Vgs | 11.7 nC @ 10 V | |
晶体管材料 | Si | |
最高工作温度 | +150 °C | |
宽度 | 6mm | |
最低工作温度 | -55 °C | |
高度 | 1.05mm | |
选择全部 | ||
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品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 39 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 PQFN8 | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 40 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 73 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 5mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 6mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.05mm | ||