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    onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 39 A, PQFN8, 贴片安装, 8引脚, PowerTrench系列

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    包装方式:
    RS 库存编号:
    739-4857P
    制造商零件编号:
    FDMS86104
    制造商:
    onsemi
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    品牌

    onsemi

    通道类型

    N

    最大连续漏极电流

    39 A

    最大漏源电压

    100 V

    封装类型

    PQFN8

    系列

    PowerTrench

    安装类型

    贴片

    引脚数目

    8

    最大漏源电阻值

    40 mΩ

    通道模式

    增强

    最小栅阈值电压

    2V

    最大功率耗散

    73 W

    晶体管配置

    最大栅源电压

    -20 V、+20 V

    每片芯片元件数目

    1

    长度

    5mm

    典型栅极电荷@Vgs

    11.7 nC @ 10 V

    晶体管材料

    Si

    最高工作温度

    +150 °C

    宽度

    6mm

    最低工作温度

    -55 °C

    高度

    1.05mm