onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 5 A, MicroFET 2 x 2, 贴片安装, 6引脚, PowerTrench系列
- RS 库存编号:
- 739-6216
- 制造商零件编号:
- FDMA1024NZ
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB51.45
(不含税)
RMB58.15
(含税)
2170 现货库存，可于5工作日发货。
实时库存查询
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | RMB10.29 | RMB51.45 |
| 750 - 1495 | RMB9.98 | RMB49.90 |
| 1500 + | RMB9.68 | RMB48.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 739-6216
- 制造商零件编号:
- FDMA1024NZ
- 制造商:
- onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | MicroFET 2 x 2 | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 114 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大功率耗散 | 1.4 W | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 2mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.2 nC @ 4.5 V | |
| 长度 | 2mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 MicroFET 2 x 2 | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 114 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大功率耗散 1.4 W | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 2mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 5.2 nC @ 4.5 V | ||
长度 2mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.75mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||