Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 2系列, Vds=20 V, 80 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
752-8167
制造商零件编号:
BSC046N02KSGAUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

80 A

最大漏源电压

20 V

封装类型

TDSON

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

5.9 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1.2V

最小栅阈值电压

0.7V

最大功率耗散

2.8 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-12 V、+12 V

宽度

5.35mm

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

21 nC @ 4.5 V

长度

6.35mm

晶体管材料

Si

最低工作温度

-55 °C

高度

1.1mm

系列

OptiMOS 2

Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列


Infineon OptiMOS™2 N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 OptiMOS 2 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。