onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 1.6 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, PowerTrench系列
- RS 库存编号:
- 759-9655P
- 制造商零件编号:
- FDN86246
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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- FDN86246
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.6 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 481 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 1.5 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 2.92mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.9 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 1.4mm | |
| 高度 | 0.94mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.6 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
系列 PowerTrench | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 481 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 1.5 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 2.92mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.9 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 1.4mm | ||
高度 0.94mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||