STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 DeepGate, STripFET系列, Vds=30 V, 80 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚

品牌

STMicroelectronics

通道类型

N

最大连续漏极电流

80 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

7.5 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.5V

最小栅阈值电压

1V

最大功率耗散

70 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

最高工作温度

+175 °C

长度

10.4mm

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

20 nC @ 4.5 V

晶体管材料

Si

宽度

4.6mm

高度

15.75mm

系列

DeepGate, STripFET