onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 20.6 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, FCP190N60E, SuperFET II系列
- RS 库存编号:
- 772-9102
- 制造商零件编号:
- FCP190N60E
- 制造商:
- onsemi
小计（1 包，共 2 件）*
¥57.52
(不含税)
¥65.00
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 1,200 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 + | RMB28.76 | RMB57.52 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 772-9102
- 制造商零件编号:
- FCP190N60E
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | SuperFET II | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.19Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V ac | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 63nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 208W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4.83 mm | |
| 高度 | 9.4mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20.6A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 SuperFET II | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.19Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V ac | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 208W | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4.83 mm | ||
高度 9.4mm | ||
长度 10.67mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。
利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
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