Nexperia MOSFET, N沟道, Si, Vds=60 V, 100 A, 4引脚 SOT-669封装

  • RS 库存编号 798-2996
  • 制造商零件编号 PSMN5R5-60YS,115
  • 制造商 Nexperia
产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): PH
产品详细信息

N 通道 MOSFET,60V 至 80V,Nexperia

MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 100 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 SOT-669
安装类型 表面贴装
引脚数目 4
最大漏源电阻值 8.3 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 130 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
宽度 4.1mm
高度 1.1mm
典型栅极电荷@Vgs 56 nC @ 10 V
长度 5mm
最高工作温度 +175 °C
最低工作温度 -55 °C
75 现货库存,可于5工作日发货。网上下单,免运费。
单价(不含税) /个 (每包:5个)
RMB 7.82
(不含税)
RMB 8.84
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 - 20
RMB7.82
RMB39.10
25 - 95
RMB7.378
RMB36.89
100 - 245
RMB7.122
RMB35.61
250 - 495
RMB6.916
RMB34.58
500 +
RMB6.846
RMB34.23
* 参考价格
包装方式: