Nexperia MOSFET, N沟道, Si, Vds=60 V, 100 A, 4引脚 SOT-669封装
- RS 库存编号 798-2996P
- 制造商零件编号 PSMN5R5-60YS,115
- 制造商 Nexperia
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道 MOSFET，60V 至 80V，Nexperia
MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 100 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOT-669 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 8.3 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 130 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 4.1mm |
| 高度 | 1.1mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 56 nC @ 10 V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 长度 | 5mm |
1985 现货库存，可于5工作日发货。网上下单，免运费。
单价（不含税） 个 (以每卷装提供) 数量若小于150，会采用单条连续包装带
RMB
7.378
(不含税)
RMB
8.337
(含税)
单位
Per unit
25 - 95
RMB7.378
100 - 245
RMB7.122
250 - 495
RMB6.916
500 +
RMB6.846
包装方式：
