IXYS N沟道增强型MOS管 HiperFET, Q3-Class系列, Vds=1000 V, 44 A, PLUS264封装, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 801-1373P
- 制造商零件编号:
- IXFB44N100Q3
- 制造商:
- IXYS
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- IXFB44N100Q3
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 44 A | |
| 最大漏源电压 | 1000 V | |
| 封装类型 | PLUS264 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 220 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 6.5V | |
| 最大功率耗散 | 1.56 kW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 5.31mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 264 nC @ 10 V | |
| 长度 | 20.29mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 26.59mm | |
| 系列 | HiperFET, Q3-Class | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 44 A | ||
最大漏源电压 1000 V | ||
封装类型 PLUS264 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 220 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 6.5V | ||
最大功率耗散 1.56 kW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 5.31mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 264 nC @ 10 V | ||
长度 20.29mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 26.59mm | ||
系列 HiperFET, Q3-Class | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列
HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。
快速本质整流器二极管
低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）
低本质栅极电阻
工业标准封装
低封装电感
高功率密度
低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）
低本质栅极电阻
工业标准封装
低封装电感
高功率密度
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备