onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 8 A, ECH封装, 表面贴装, 8引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
802-0853
制造商零件编号:
ECH8663R-TL-H
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

8 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

ECH

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

28 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1.3V

最大功率耗散

1.4 W

晶体管配置

共漏极

最大栅源电压

-12 V、+12 V

每片芯片元件数目

2

最高工作温度

+150 °C

长度

2.9mm

典型栅极电荷@Vgs

12.3 nC @ 4.5 V

宽度

2.3mm

晶体管材料

Si

高度

0.9mm

双 N 通道 MOSFET，ON Semiconductor



MOSFET 晶体管，ON Semiconductor