onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 5.1 A, TSOP封装, 表面贴装, 6引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
802-4221
制造商零件编号:
NTGS3446T1G
制造商:
ON Semiconductor
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品牌

ON Semiconductor

通道类型

N

最大连续漏极电流

5.1 A

最大漏源电压

20 V

封装类型

TSOP

安装类型

贴片

引脚数目

6

最大漏源电阻值

55 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1.2V

最大功率耗散

2 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-12 V、+12 V

宽度

1.7mm

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

长度

3.1mm

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

8 nC @ 4.5 V

最低工作温度

-55 °C

高度

1mm

N 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor



MOSFET 晶体管，ON Semiconductor