Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 7.2 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, SI4431CDY-T1-GE3, Si4431CDY系列
- RS 库存编号:
- 812-3215
- 制造商零件编号:
- SI4431CDY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB2.723 | RMB54.46 |
| 100 - 480 | RMB2.642 | RMB52.84 |
| 500 - 1480 | RMB2.563 | RMB51.26 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 812-3215
- 制造商零件编号:
- SI4431CDY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | Si4431CDY | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 49mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 25nC | |
| 正向电压 Vf | -0.71V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 4.2W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.55mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 7.2A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 Si4431CDY | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 49mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25nC | ||
正向电压 Vf -0.71V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 4.2W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.55mm | ||
宽度 4 mm | ||
长度 5mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN