ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 3.5 A, TUMT6, 贴片安装, 6引脚

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RS 库存编号:
826-7804
制造商零件编号:
RUL035N02TR
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

通道类型

N

最大连续漏极电流

3.5 A

最大漏源电压

20 V

封装类型

TUMT6

安装类型

贴片

引脚数目

6

最大漏源电阻值

93 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1V

最大功率耗散

1 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-10 V、+10 V

典型栅极电荷@Vgs

5.7 nC @ 4.5 V

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

1

长度

2.1mm

晶体管材料

Si

宽度

1.8mm

高度

0.82mm

COO (Country of Origin):
TH

N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM



MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor