Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 7.3 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
826-8838
制造商零件编号:
IRF7201TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

7.3 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

SOIC

系列

HEXFET

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

50 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1V

最小栅阈值电压

1V

最大功率耗散

2.5 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

典型栅极电荷@Vgs

19 nC @ 10 V

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

长度

5mm

宽度

4mm

最低工作温度

-55 °C

高度

1.5mm

正向二极管电压

1.2V

COO (Country of Origin):
CN

N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon


Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，7.3A 最大连续漏极电流，2.5W 最大功率耗散 - IRF7201TRPBF


这款 N 沟道 MOSFET 专为在各种应用中实现高效开关而设计。它采用先进的 HEXFET 技术，具有低导通电阻和高功率耗散能力的卓越性能。该元件的持续漏极电流为 7.3A，漏极-源极电压为 30V，适用于自动化、电子和其他对效率和可靠性要求极高的技术环境。

特点和优势


• 低 RDS(on) 可提高能效
• 最大功率耗散为 2.5W
• 栅极阈值电压仅为 1V
• 专为表面贴装应用而设计，以优化空间
• 切换速度快，提高了系统响应速度

应用


• 用于电源管理系统
• 适用于电机控制
• 常用于汽车开关元件
• 用于电源电路
• 适用于电信设备

低 RDS(on) 如何提高电路效率？


低 RDS(on) 降低了器件的功率损耗，从而提高了整体电路效率，并最大限度地减少了发热。

这种 MOSFET 的工作温度是多少？


它能在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内有效工作，因此适用于各种环境条件。

栅极阈值电压有何意义？


较低的栅极阈值电压便于控制 MOSFET，使其能够在较低的输入信号下开启，并增强了与各种电路的兼容性。

这种 MOSFET 能否处理脉冲电流？


是的，它可以管理高达 58A 的脉冲漏极电流，适用于需要短时功率的应用。

有哪些制造工艺可确保其可靠性？


先进的处理技术可实现低导通电阻和稳健的器件设计，确保在具有挑战性的应用中实现可靠的性能。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。