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    Infineon N/P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 4.7 A，5.7 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚

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    包装方式：
    RS 库存编号:
    826-8857
    制造商零件编号:
    IRF7307TRPBF
    制造商:
    Infineon
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    品牌

    Infineon

    通道类型

    N，P

    最大连续漏极电流

    4.7 A，5.7 A

    最大漏源电压

    20 V

    封装类型

    SOIC

    安装类型

    贴片

    引脚数目

    8

    最大漏源电阻值

    70 mΩ, 140 mΩ

    通道模式

    增强

    最大栅阈值电压

    0.7V

    最小栅阈值电压

    0.7V

    最大功率耗散

    2 W

    晶体管配置

    隔离式

    最大栅源电压

    -12 V、+12 V

    典型栅极电荷@Vgs

    20 nC @ 4.5 V，22 nC @ 4.5 V

    长度

    5mm

    晶体管材料

    Si

    宽度

    4mm

    每片芯片元件数目

    2

    最高工作温度

    +150 °C

    最低工作温度

    -55 °C

    系列

    HEXFET

    高度

    1.5mm