Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=12 V, 9.2 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
826-8897P
制造商零件编号:
IRF7329TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

P

最大连续漏极电流

9.2 A

最大漏源电压

12 V

封装类型

SOIC

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

30 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

0.9V

最小栅阈值电压

0.4V

最大功率耗散

2 W

晶体管配置

隔离式

最大栅源电压

-8 V、+8 V

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

2

长度

5mm

典型栅极电荷@Vgs

38 nC @ 4.5 V

宽度

4mm

晶体管材料

Si

系列

HEXFET

高度

1.5mm

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
PH

P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V，Infineon


Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。


MOSFET 晶体管，Infineon


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