Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS T2系列, Vds=30 V, 80 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
826-8954P
制造商零件编号:
IPB80N03S4L02ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

80 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

D2PAK (TO-263)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

3.2 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.2V

最小栅阈值电压

1V

最大功率耗散

136 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-16 V、+16 V

每片芯片元件数目

1

长度

10mm

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

110 nC @ 10 V

宽度

9.25mm

最高工作温度

+175 °C

高度

4.4mm

系列

OptiMOS T2

最低工作温度

-55 °C

豁免

Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET


Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式
AEC 合格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。