Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 4 A, TSOP封装, 表面贴装, 6引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
830-3509
制造商零件编号:
IRF5806TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

P

最大连续漏极电流

4 A

最大漏源电压

20 V

封装类型

TSOP

安装类型

贴片

引脚数目

6

最大漏源电阻值

147 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1.2V

最小栅阈值电压

0.45V

最大功率耗散

2 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

典型栅极电荷@Vgs

8.3 nC @ 4.5 V

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

1

宽度

1.7mm

晶体管材料

Si

长度

3.1mm

最低工作温度

-55 °C

高度

1mm

系列

HEXFET

COO (Country of Origin):
MY

P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V，Infineon


Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。


MOSFET 晶体管，Infineon


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