onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 20 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, UltraFET系列

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862-9337
制造商零件编号:
HUFA76429D3ST-F085
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

20 A

最大漏源电压

60 V

系列

UltraFET

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

23 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3V

最小栅阈值电压

1V

最大功率耗散

110 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-16 V、+16 V

晶体管材料

Si

最高工作温度

+175 °C

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

典型栅极电荷@Vgs

38 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

高度

2.39mm

最低工作温度

-55 °C

UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor


UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。
应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。


Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
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