onsemi N沟道增强型MOS管 SuperFET II系列, Vds=650 V, 20 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
864-7903
制造商零件编号:
FCP190N65F
制造商:
ON Semiconductor
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品牌

ON Semiconductor

通道类型

N

最大连续漏极电流

20 A

最大漏源电压

650 V

封装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

168 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

3V

最大功率耗散

208 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

宽度

4.7mm

典型栅极电荷@Vgs

60 nC @ 10 V

长度

10.67mm

系列

SuperFET II

高度

16.3mm

最低工作温度

-55 °C

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor


Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。
利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。


Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
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