MagnaChip N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 47 A, PowerDFN56封装, 表面贴装, 8引脚

品牌

MagnaChip

通道类型

N

最大连续漏极电流

47 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

PowerDFN56

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

14 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.7V

最大功率耗散

35.7 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

晶体管材料

Si

宽度

5.1mm

长度

6.1mm

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

14.6 nC @ 10 V

最高工作温度

+150 °C

高度

1.1mm

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1.1V