Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=75 V, 183 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
879-3319
制造商零件编号:
IRFB7734PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

183 A

最大漏源电压

75 V

封装类型

TO-220AB

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

3.5 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.7V

最小栅阈值电压

2.1V

最大功率耗散

290 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

最高工作温度

+175 °C

宽度

4.83mm

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

180 nC @ 10 V

长度

10.67mm

每片芯片元件数目

1

高度

16.51mm

正向二极管电压

1.2V

系列

HEXFET

最低工作温度

-55 °C

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon


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