Toshiba N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 20 A, TO-3P, 通孔安装, 3引脚, TK20J60W,S1VQ(O, TK系列

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RS 库存编号:
891-2936
制造商零件编号:
TK20J60W,S1VQ(O
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

20A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-3P

系列

TK

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

155mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

-1.7V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

48nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30 V

最大功耗 Pd

165W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

15.5mm

高度

20mm

宽度

4.5 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
JP

MOSFET N 通道,TK2x 系列,Toshiba


MOSFET 晶体管,Toshiba