Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS E6系列, Vds=600 V, 13.8 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
892-2239
制造商零件编号:
IPW60R280E6FKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

13.8 A

最大漏源电压

600 V

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

280 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.5V

最小栅阈值电压

2.5V

最大功率耗散

104 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

典型栅极电荷@Vgs

43 nC @ 10 V

长度

16.13mm

最高工作温度

+175 °C

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

宽度

5.21mm

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

0.9V

高度

21.1mm

系列

CoolMOS E6

Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET


Infineon 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。