Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS C3系列, Vds=900 V, 5.7 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
897-7658
制造商零件编号:
IPW90R1K0C3FKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

5.7 A

最大漏源电压

900 V

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

1 Ω

通道模式

增强

最大功率耗散

89 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

典型栅极电荷@Vgs

34 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

长度

16.13mm

晶体管材料

Si

宽度

21.1mm

最高工作温度

+150 °C

最低工作温度

-55 °C

系列

CoolMOS C3

正向二极管电压

1.2V

高度

5.21mm

Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。