Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS CFD系列, Vds=700 V, 68 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚

查看所有MOSFET
库存信息目前无法查询
包装方式：
RS 库存编号:
898-6952P
制造商零件编号:
IPW65R041CFDFKSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

68 A

最大漏源电压

700 V

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

41 mΩ

通道模式

增强

最大功率耗散

500 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

宽度

5.21mm

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

300 nC @ 10 V

长度

16.13mm

最高工作温度

+150 °C

高度

21.1mm

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1V

系列

CoolMOS CFD

Infineon CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET


客制化产品，不可取消或退货，遵循RS销售条款。



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。