Wolfspeed N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 19 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚

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904-7348
制造商零件编号:
C2M0160120D
制造商:
Wolfspeed
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品牌

Wolfspeed

通道类型

N

最大连续漏极电流

19 A

最大漏源电压

1200 V

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

196 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.5V

最小栅阈值电压

2.4V

最大功率耗散

125 W

晶体管配置

最大栅源电压

-5 V、+20 V

宽度

5.21mm

每片芯片元件数目

1

长度

16.13mm

晶体管材料

SiC

典型栅极电荷@Vgs

34 nC @ 20 V,34 nC @ 5 V

最高工作温度

+150 °C

高度

21.1mm

正向二极管电压

3.3V

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
CN

Wolfspeed碳化硅功率MOSFET


Wolfspeed Z-Fet™,C2M™和C3M™碳化硅功率MOSFET。Cree功率分部Wolfspeed推出的一系列第二代 SiC MOSFET,可提供行业领先的功率密度和切换效率。这些低电容设备可实现更高的切换频率,并降低了散热要求,从而提高了整体系统工作效率。

• 增强模式N通道SiC技术
• 高漏极-击穿电压-高达1200V
• 多个设备易于并联,驱动简单
• 高速开关,导通电阻低
• 防闩锁操作

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管,Wolfspeed