Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 1.5 A, DFN2020封装, 表面贴装, 6引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
907-5182
制造商零件编号:
IRFHS9351TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

P

最大连续漏极电流

1.5 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

DFN2020

安装类型

贴片

引脚数目

6

最大漏源电阻值

290 mΩ

通道模式

增强

最大功率耗散

1.4 W

晶体管配置

隔离式

最大栅源电压

-20 V、+20 V

每片芯片元件数目

2

长度

2.1mm

典型栅极电荷@Vgs

3.7 nC @ 15 V

宽度

2.1mm

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

正向二极管电压

1.2V

系列

HEXFET

最低工作温度

-55 °C

高度

0.95mm

N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon


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