Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 32 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列

RS 库存编号:: 915-5014
制造商零件编号:: IRFR3411TRPBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 32 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列

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英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，32A 最大连续漏极电流，130W 最大功率耗散 - IRFR3411TRPBF

这款 MOSFET 对于大功率电子应用至关重要，它具有低导通电阻和宽工作温度范围的强大性能。它采用 HEXFET 技术，确保高效运行，适用于各种工业和自动化任务。其表面贴装 DPAK (TO-252) 封装便于集成到电子电路中，而增强模式设计则优化了开关效率。

特点和优势

• 连续漏极电流能力达 32A，适用于多种应用场合
• 最大额定电压 100 伏，使用灵活
• 44mΩ 的低 RDS（on）降低了功率损耗和发热量
• 最大功率耗散为 130 瓦，更耐用
• 支持高速开关，提高电路性能
• 表面安装设计简化了 PCB 集成

应用

• 用于工业供电系统中的直流-直流转换器
• 适用于机器人和自动化领域的电机控制电路
• 适用于电信设备的电源管理
• 应用于电子照明系统，提高能效

与该设备兼容的印刷电路板安装方式有哪些？

它专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面安装而设计，确保了组装方法的多样性。

该设备能否处理脉冲漏极电流？

是的，它的额定脉冲漏极电流高达 110A，可灵活应对瞬态负载条件而不会造成损坏。

该元件的热阻是多少？

结点到外壳的热阻为 1.2°C/W，可在运行期间实现有效的热管理。

它的工作温度范围是多少？

这款 MOSFET 可在 -55°C 至 +175°C 温度范围内有效工作，适合极端环境条件。

闸门电荷对性能有何影响？

它在 10V 电压下的典型栅极电荷为 48nC，可确保更快的开关时间，减少损耗并提高电路效率。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

属性	数值
通道类型	N
最大连续漏极电流	32 A
最大漏源电压	100 V
封装类型	DPAK (TO-252)
系列	HEXFET
安装类型	贴片
引脚数目	3
最大漏源电阻值	44 mΩ
通道模式	增强
最大栅阈值电压	4V
最小栅阈值电压	2V
最大功率耗散	130 W
晶体管配置	单
最大栅源电压	-20 V、+20 V
每片芯片元件数目	1
典型栅极电荷@Vgs	48 nC @ 10 V
晶体管材料	Si
宽度	7.49mm
最高工作温度	+175 °C
长度	6.73mm
最低工作温度	-55 °C
高度	2.39mm
正向二极管电压	1.2V