Wolfspeed N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 60 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 923-0711
- 制造商零件编号:
- C2M0040120D
- 制造商:
- Wolfspeed
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 923-0711
- 制造商零件编号:
- C2M0040120D
- 制造商:
- Wolfspeed
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Wolfspeed | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 60 A | |
| 最大漏源电压 | 1200 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 52 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 330W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -5V，+20V | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 115nC @ 20V，115nC @ 5V | |
| 宽度 | 5.21mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 21.1mm | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向二极管电压 | 3.3V | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Wolfspeed | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 60 A | ||
最大漏源电压 1200 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 52 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 330W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -5V，+20V | ||
长度 16.13mm | ||
最高工作温度 +150°C | ||
晶体管材料 SiC | ||
典型栅极电荷@Vgs 115nC @ 20V，115nC @ 5V | ||
宽度 5.21mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 21.1mm | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向二极管电压 3.3V | ||
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET
Wolfspeed Z-Fet™，C2M™和C3M™碳化硅功率MOSFET。Cree功率分部Wolfspeed推出的一系列第二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。这些低电容设备可实现更高的切换频率，并降低了散热要求，从而提高了整体系统工作效率。
• 增强模式N通道SiC技术
• 高漏极-击穿电压-高达1200V
• 多个设备易于并联，驱动简单
• 高速开关，导通电阻低
• 防闩锁操作
• 高漏极-击穿电压-高达1200V
• 多个设备易于并联，驱动简单
• 高速开关，导通电阻低
• 防闩锁操作
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Wolfspeed