Infineon NVRAM, 4Mbit, 512K x 8 位, 并行接口, 45ns, TSOP

  • RS 库存编号 194-9072
  • 制造商零件编号 CY14B104LA-ZS25XI
  • 制造商 Infineon
产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): PH
产品详细信息

柏树 CY14B104LA 交流 / CY14B104NA 是快速静态 ram ( ram )、每个存储单元中都有一个非易失性元件。存储器以 512K 字节(每个 8 位)或 256K 字(每个 16 位)的形式组织。嵌入式非易失性元件采用 quantum陷 印技术、可产生可靠的非易失性存储器。静态存储器提供无限的读取和写入周期、而独立的非易失性数据驻留在高度可靠的 quantum陷 印单元中。从静态存储器到非易失性元件(存储操作)的数据在断电时自动传输。通电时、数据从非易失性存储器恢复到静态存储器(调用操作)。存储和调用操作也可在软件控制下使用。

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

产品技术参数
属性 数值
存储器大小 4Mbit
组织 512K x 8 位
接口类型 并行
数据总线宽度 8Bit
最长随机存取时间 45ns
安装类型 贴片
封装类型 TSOP
引脚数目 44
尺寸 18.51 x 10.26 x 1.04mm
长度 18.51mm
宽度 10.26mm
高度 1.04mm
最大工作电源电压 3.6 V
最高工作温度 +85°C
46 现货库存,可于5工作日发货。
单价(不含税) 个
RMB 276.94
(不含税)
RMB 312.94
(含税)
单位
Per unit
1 - 33
RMB276.94
34 - 67
RMB270.85
68 +
RMB265.02
包装方式: