Infineon BGSX22G5A10 射频 mos 开关专为 lte 和 wcdma 多天线应用而设计。此双刀双掷提供低插入损耗和低谐波生成、并在射频端口之间实现高隔离。该开关通过 gpio 接口控制。片上控制器允许 1.65v 至 3.4v 的电源电压。
射频 cmos 双刀双掷天线交叉开关、功率处理能力高达 37 dbm
超低插入损耗和谐波生成
0.1 至 6.0 ghz 覆盖范围
高端口到端口隔离
如果 rf 线路上未应用直流、则无需去耦电容器
通用输入 - 输出( gpio )接口
小型设计: 1.1mm x 1.5mm
无需电源阻断
属性 | 数值 |
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封装类型 | Atslp10-50 |
引脚数目 | 10 |
尺寸 | 1.1 x 1.5 x0.55mm |
安装类型 | 贴片 |