Infineon 双向耦合器 IC 设计用于 2G、3G、4G 射频前端应用。该设备包含一个双向耦合器,可在 0.6 GHz 至 2.7 GHz 频率范围内的一个或多个频段工作。耦合输出包含一个低通过滤波器,用于 5 GHz ISM 阻止器抑制。该耦合器具有低插入损耗和高方向性。耦合器通过 GPIO 引脚进行控制。无需外部电源封锁或射频分离电容器。该耦合器是一款完全集成的设备,部署 Infineon 高音量射频 CMOS 技术。该设备的尺寸非常小,仅为 1.1 x 0.7 mm2,最大高度为 0.4 mm。
GPIO 控制
集成低通过滤波器
支持所有手机标准
符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装
射频 CMOS 中完全集成的耦合器
设计用于低插入损耗和高方向性
属性 | 数值 |
---|---|
技术 | CMOS |
封装类型 | TSNP-6-2 |
引脚数目 | 6 |
尺寸 | 1.1 x 0.7 x 0.375mm |
安装类型 | 贴片 |