Infineon DRAM 是一种高速 CMOS 自刷新 DRAM,配备有 HYPERBUS 接口。DRAM 阵列采用需要定期刷新的动态单元。当 HYPERBUS 接口主控端不主动读写存储器时,器件内部的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机不需要管理任何刷新操作,因此 DRAM 阵列对主机而言就像存储器使用保留数据但不刷新的静态单元一样。所以,将该存储器描述为伪静态 RAM 更为准确。
200 MHz 最大时钟速率
数据吞吐量高达 400 MBps
双向读写数据选通
汽车 AEC Q100 2 级和 3 级
可选 DDR 中心对齐读取选通
DDR 在时钟的两个边沿传输数据
属性 | 数值 |
---|---|
存储器大小 | 64Mbit |
SDRAM类 | DDR |
数据速率 | 400Mbps |
数据总线宽度 | 8Bit |
封装类型 | 24 球 FBGA |
引脚数目 | 24 |