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SRAM

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显示 61 - 80 个产品，共 345 个
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描述 价格 存储器大小 组织 字组数目 每字组的位元数目 最长随机存取时间 位址总线宽 时钟频率 低功率 计时类型 安装类型 封装类型 引脚数目 尺寸 最大工作电源电压
Alliance Memory 4Mbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 512K x 8, 32针, AS6C4008-55PIN
RS 库存编号 230-8453
制造商零件编号AS6C4008-55PIN
品牌Alliance Memory
RMB46.587
毎管：13 个
单位
 4Mbit 512K x 8 524288 8Bit 55ns - - 是 异步 通孔 PDIP-32 32 41.91 x 13.818 x 3.81mm 5.5 V
ISSI 256Kbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 32k x 8 位, 28针, IS62C256AL-45TLI
RS 库存编号 170-2048
制造商零件编号IS62C256AL-45TLI
品牌ISSI
RMB10.306
Each (In a Tray of 234)
单位
 256Kbit 32k x 8 位 32k 8Bit 45ns 15Bit - 是 异步 贴片 TSOP 28 8.1 x 11.9 x 1mm 5.5 V
ISSI 2Mbit 异步SRAM, 16Bit每字组, 128K x 16 位, 44针, IS61WV12816BLL-12TLI
RS 库存编号 391-684
制造商零件编号IS61WV12816BLL-12TLI
品牌ISSI
RMB35.81
个
单位
 2Mbit 128K x 16 位 128k 16Bit 12ns 17Bit - 是 异步 贴片 TSOP 44 18.52 x 10.29 x 1.05mm 3.63 V
Cypress Semiconductor 4096Kbit 1MHz异步SRAM, 8Bit每字组, 512K x 8 位, 32针, CY62148EV30LL-45ZSXIT
RS 库存编号 198-7998
制造商零件编号CY62148EV30LL-45ZSXIT
品牌Infineon
RMB35.923
个 (在毎卷：1000)
单位
 4096Kbit 512K x 8 位 512k 8Bit 45ns 8Bit 1MHz 是 异步 贴片 TSOP-32 32 8.1 x 11.9 x 1.05mm 3.6 V
Alliance Memory 4Mbit SRAM, 8Bit每字组, 512K x 8, AS6C4008A-55STIN
RS 库存编号 230-8460
制造商零件编号AS6C4008A-55STIN
品牌Alliance Memory
RMB40.22
/个 (每包:2个)
单位
 4Mbit 512K x 8 524288 8Bit 55ns - - - - - - - - -
Renesas Electronics 8Kbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 1K x 8, 52针, 7130LA20JG
RS 库存编号 217-3673
制造商零件编号7130LA20JG
品牌Renesas Electronics
RMB139.67
个
单位
 8Kbit 1K x 8 1K 8Bit 20ns 16Bit - 是 异步 贴片 PLCC-52 52 19 x 19 x 3.63mm 5.5 V
Alliance Memory 1Mbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 128K x 8, 32针, AS6C1008-55PIN
RS 库存编号 230-8446
制造商零件编号AS6C1008-55PIN
品牌Alliance Memory
RMB39.48
/个 (每包:2个)
单位
 1Mbit 128K x 8 131072 8Bit 55ns 17Bit - 是 异步 通孔 PDIP-32 32 41.91 x 13.818 x 3.81mm 5.5 V
Infineon 1Mbit SRAM, 8Bit每字组, 128k x 8, CY7C109D-10VXIT
RS 库存编号 182-3401
制造商零件编号CY7C109D-10VXIT
品牌Infineon
RMB30.22
/个 (每包:3个)
单位
 1Mbit 128k x 8 128k 8Bit 10ns - - - - - - - - -
Cypress Semiconductor 1024Kbit 1MHz异步SRAM, 16Bit每字组, 64K x 16 位, 44针, CY7C1021D-10ZSXIT
RS 库存编号 198-8003
制造商零件编号CY7C1021D-10ZSXIT
品牌Infineon
RMB25.585
个 (在毎卷：1000)
单位
 1024Kbit 64K x 16 位 65536 16Bit 10ns 16Bit 1MHz 是 异步 贴片 TSOP-44 44 18.51 x 10.26 x 1.05mm 5.5 V
Infineon 16Mbit 100MHz异步SRAM, 16Bit每字组, 16M x 1 位, 54针, CY7C1061GE30-10ZSXI
RS 库存编号 181-7613
制造商零件编号CY7C1061GE30-10ZSXI
品牌Infineon
RMB268.45
个
单位
 16Mbit 16M x 1 位 1M 16Bit 10ns 16Bit 100MHz 是 异步 贴片 TSOP 54 22.51 x 10.26 x 1.05mm 3.6 V
Renesas Electronics 4Mbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 512k x 8 位, 44针, 71V424S12PHGI
RS 库存编号 250-3462
制造商零件编号71V424S12PHGI
品牌Renesas Electronics
RMB56.019
Each (In a Tray of 135)
单位
 4Mbit 512k x 8 位 512k 8Bit 10ns - - 是 异步 贴片 TSOP-44 44 18.41 x 10.16 x 1mm 3.6 V
Renesas Electronics 64Kbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 8K x 8., 64针, 70V05L20PFGI
RS 库存编号 217-3647
制造商零件编号70V05L20PFGI
品牌Renesas Electronics
RMB307.59
个
单位
 64Kbit 8K x 8. 8K 8Bit 20ns 16Bit - 是 异步 贴片 TQFP-64 64 14 x 14 x 1.4mm 3.6 V
Alliance Memory 4Mbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 512K x 8, 32针, AS6C4008-55PIN
RS 库存编号 230-8454
制造商零件编号AS6C4008-55PIN
品牌Alliance Memory
RMB50.62
/个 (每包:2个)
单位
 4Mbit 512K x 8 524288 8Bit 55ns - - 是 异步 通孔 PDIP-32 32 41.91 x 13.818 x 3.81mm 5.5 V
ISSI 1Mbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 128K x 8 位, 32针, IS61C1024AL-12JLI
RS 库存编号 391-731
制造商零件编号IS61C1024AL-12JLI
品牌ISSI
RMB20.355
/个 (每包:2个)
单位
 1Mbit 128K x 8 位 128k 8Bit 12ns 17Bit - 是 异步 贴片 SOJ 32 21.08 x 7.75 x 2.67mm 5.5 V
Infineon 4Mbit 100MHz异步SRAM, 16Bit每字组, 256K x 16 位, 44针, CY7C1041G-10VXI
RS 库存编号 182-3290
制造商零件编号CY7C1041G-10VXI
品牌Infineon
RMB45.281
毎管：17 个
单位
 4Mbit 256K x 16 位 256k 16Bit 10ns 16Bit 100MHz 是 异步 贴片 SOJ 44 1.13 x 0.405 x 0.11in 5.5 V
Alliance Memory 64Kbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 8K x 8., 28针, AS6C6264-55PIN
RS 库存编号 230-8464
制造商零件编号AS6C6264-55PIN
品牌Alliance Memory
RMB35.999
毎管：15 个
单位
 64Kbit 8K x 8. 8192 8Bit 55ns - - 是 异步 通孔 PDIP-28 28 36.32 x 13.21 x 3.81mm 5.5 V
ISSI 8Mbit 异步SRAM, 16Bit每字组, 512k x 16 位, 44针, IS62WV51216BLL-55TLI
RS 库存编号 811-5223
制造商零件编号IS62WV51216BLL-55TLI
品牌ISSI
RMB54.52
个
单位
 8Mbit 512k x 16 位 512k 16Bit 55ns 19Bit - 是 异步 贴片 TSOP 44 18.52 x 10.29 x 1.05mm 3.6 V
Renesas Electronics 16Bit SRAM, 16Bit每字组, 1Mx16, 71024S12TYGI
RS 库存编号 249-4377
制造商零件编号71024S12TYGI
品牌Renesas Electronics
RMB24.776
毎管：23 个
单位
 16Bit 1Mx16 - 16Bit 3.5µs - - - - - - - - -
Renesas Electronics 16Kbit 异步SRAM, 8Bit每字组, 2K x 8, 52针, 71321SA55JG8
RS 库存编号 217-3679
制造商零件编号71321SA55JG8
品牌Renesas Electronics
RMB159.891
个 (在毎卷：400)
单位
 16Kbit 2K x 8 2K 8Bit 55ns 16Bit - 是 异步 贴片 PLCC-52 52 19 x 19 x 3.63mm 5.5 V
Infineon 16Mbit 100MHz异步SRAM, 16Bit每字组, 16M x 1 位, 54针, CY7C10612G30-10ZSXI
RS 库存编号 193-8470
制造商零件编号CY7C10612G30-10ZSXI
品牌Infineon
RMB137.08
个
单位
 16Mbit 16M x 1 位 1 M 16Bit 10ns 16Bit 100MHz 是 异步 贴片 TSOP II 54 22.313 x 10.058 x 0.95mm 3.6 V

SRAM

SRAM是什么？

SRAM，即静态随机存取存储器（Static Random Access Memory），是一种半导体存储器，使用双稳态闭锁电路（触发器）存储每个数据位。它在供电期间将数据位保存在存储器中。如果断电，它将无法保存数据。SRAM适用于需要快速传输或低功率的应用。它的密度高于DRAM，结构简单，非常适用于使用高容量存储器的半导体存储器应用，如计算机中的工作存储器。

  • SRAM不同于DRAM（动态RAM，可将数据位存储在由电容器和晶体管组成的单元中），因为SRAM不需要像动态RAM一样刷新（除了定期刷新以外，动态RAM刷新会丢失数据）。此外，SRAM比DRAM更快，价格更昂贵。
  • SRAM常用于计算机的高速缓存存储器，也是视频卡上的RAM数模转换器的组成部分。SRAM可采用通用CMOS技术流程设计，使用六个晶体管（6T存储器单元），不带电容器。由于晶体管不需要电源来防止泄漏，因此SRAM不需要定期刷新。

SRAM的特点与优点

  • 数据静态保存–数据保存在半导体存储器中，只要存储器上通电，就无需在每次读取数据操作后刷新数据
  • 三种操作状态，即保持、写入和读取
  • 双稳态（交叉耦合）INV，适合存储
  • 存取晶体管MAL和MAR–访问存储数据以读取和写入
  • 文字行（Word Line）WL，控制访问–WL=0（保持操作）、WL=1（读/写操作）
  • 使用寿命长

SRAM的应用

  • 计算机
  • 工作站
  • 路由器
  • LCD屏幕和打印机
  • 电子产品
  • 微处理器

RS 欧时为您提供了不同品牌的SRAM，如赛普拉斯、美信半导体、微芯等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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