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半导体

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描述
产品详情
  • RMB28.677
    个 (在毎卷:1000)
英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 176 A, TO 263, 贴片安装, 3引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流176 A
  • 最大漏源电压100 V
  • 系列IPB020N10N5
  • 封装类型TO 263
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB29.829
    毎管:50 个
英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 20.7 A, TO-220 FP, 通孔安装, 3引脚, SPA20N60C3XKSA1
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流20.7 A
  • 最大漏源电压600 V
  • 封装类型TO-220 FP
  • 系列SPA20N60C3
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB22.24
英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 169 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, AUIRF1405
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流169 A
  • 最大漏源电压55 V
  • 系列HEXFET
  • 封装类型TO-220AB
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB21.249
    /个 (每包:10个)
英飞凌 倾角传感器, DSO, 8pin, 贴片安装, TLE5012BE1000XUMA1
  • 传感器类型倾角传感器
  • 轴数目2
  • 技术数字
  • 安装类型贴片
  • 最高频率响应4.3MHz
查看更多类似产品 运动传感器芯片
  • RMB22.102
    /个 (每包:5个)
英飞凌 P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 38 A, I2PAK (TO-262), 通孔安装, 3引脚, IRF5210LPBF
  • 通道类型P
  • 最大连续漏极电流38 A
  • 最大漏源电压100 V
  • 封装类型I2PAK (TO-262)
  • 系列HEXFET
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB46.854
    /个 (每包:5个)
英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 300 A, HSOF-8., 贴片安装, 8引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流300 A
  • 最大漏源电压100 V
  • 系列IPT015N10N5
  • 封装类型HSOF-8.
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB39.705
    /个 (每包:2个)
英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 100 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流100 A
  • 最大漏源电压150 V
  • 封装类型TO-220
  • 系列IPP075N15N3 G
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB3.331
    /个 (每包:20个)
英飞凌 P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 360 mA, SC-59, 贴片安装, 3引脚
  • 通道类型P
  • 最大连续漏极电流360 mA
  • 最大漏源电压100 V
  • 系列BSR316P
  • 封装类型SC-59
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB14.708
    个 (在毎卷:1000)
英飞凌 直流电机驱动芯片, IFX9201SG系列, 半桥输出, 最大输出10A, DSO封装
  • 电动机类型直流
  • 输出配置半桥
  • 配置H 桥
  • 最大输出电流10A
  • 最大电源电压36 V
查看更多类似产品 电机驱动芯片
  • RMB15.888
    /个 (每包:10个)
英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 50 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流50 A
  • 最大漏源电压150 V
  • 封装类型DPAK (TO-252)
  • 系列IPD200N15N3 G
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB46.102
    /个 (每包:5个)
英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 176 A, TO 263, 贴片安装, 3引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流176 A
  • 最大漏源电压100 V
  • 封装类型TO 263
  • 系列IPB020N10N5
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