英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 176 A, TO 263, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号 170-2293
- 制造商零件编号 IPB020N10N5ATMA1
- 制造商 英飞凌
产品技术参数资料
产品详细信息
Infineon IPB020N10N5 是 optiMOS 5 100V 功率 MOSFET ，采用 D2PAK 封装， RDS (接通) 低 22%。它专门设计用于电信块中的同步整流，包括 OR-ING ，热插拔和电池保护，以及用于服务器电源应用。
经优化可用于同步整流
特别适用于高切换频率
输出电容下降多达 44%
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 176 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | TO 263 |
| 系列 | IPB020N10N5 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 2.5 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.8V |
| 最小栅阈值电压 | 2.2V |
| 最大功率耗散 | 375 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 168 nC @ 10 V |
| 长度 | 10.31mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 11.05mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
请致电4008218857，确认RS海外库存数量及货期。
单价（不含税） 个 (在毎卷：1000)
RMB
28.677
(不含税)
RMB
32.405
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
1000 +
RMB28.677
RMB28,677.00
* 参考价格
