Semelab

分立半导体

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分立半导体
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  • RMB2,418.673
    Each (In a Tray of 25)
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 10 A, DK, 螺钉安装, 5引脚, TetraFET系列
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流10 A
  • 最大漏源电压70 V
  • 封装类型DK
  • 系列TetraFET
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  • RMB2,419.31
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 10 A, DK, 螺钉安装, 5引脚, TetraFET系列
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流10 A
  • 最大漏源电压70 V
  • 封装类型DK
  • 系列TetraFET
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  • RMB669.21
Semelab PNP三极管, LCC 1, IC -600 mA, VCEO -60 V, VCBO -60 V, 贴片安装
  • 晶体管类型PNP
  • 最大直流集电极电流-600 mA
  • 最大集电极-发射极电压-60 V
  • 封装类型LCC 1
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 三极管
  • RMB840.42
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=65 V, 2 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, TetraFET系列
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流2 A
  • 最大漏源电压65 V
  • 封装类型SOIC
  • 系列TetraFET
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB652.823
    Each (In a Tray of 50)
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=65 V, 2 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, TetraFET系列
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流2 A
  • 最大漏源电压65 V
  • 封装类型SOIC
  • 系列TetraFET
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB2,706.84
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 35 A, 扭杆, 螺钉安装, 5引脚, TetraFET系列
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流35 A
  • 最大漏源电压70 V
  • 系列TetraFET
  • 封装类型扭杆
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB2,706.837
    Each (In a Tray of 20)
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 35 A, DR, 螺钉安装, 5引脚, TetraFET系列
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流35 A
  • 最大漏源电压70 V
  • 系列TetraFET
  • 封装类型DR
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