Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=65 V, 2 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, D2020UK

  • RS 库存编号 738-7711P
  • 制造商零件编号 D2020UK
  • 制造商 Semelab
产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): GB
产品详细信息

RF MOSFET 晶体管,Semelab

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管,Semelab

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 2 A
最大漏源电压 65 V
系列 TetraFET
封装类型 SOIC
安装类型 贴片
引脚数目 8
通道模式 增强
最大栅阈值电压 5V
最大功率耗散 30 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
晶体管材料 Si
宽度 5.08mm
长度 4.06mm
最高工作温度 +200 °C
每片芯片元件数目 1
请致电4008218857,确认RS海外库存数量及货期。
单价(不含税) 个 (以每袋装提供)
RMB 807.78
(不含税)
RMB 912.79
(含税)
单位
Per unit
13 - 24
RMB807.78
25 +
RMB767.38
包装方式: