描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
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RS 库存编号
207-4961
制造商零件编号CM200DY-24T #300G
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RMB1,311.84
个 (以毎盒:10)
单位
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200 | 1200 V | 20V | 2 | - | 模块 | 双 | PCB | N | - | - | 双路半桥接 | - |
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RS 库存编号
273-7414
制造商零件编号FZ600R12KE4HOSA1
品牌Infineon
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RMB1,727.322
Each (In a Tray of 10)
单位
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600 A | 1200 V | +/-20V | - | 3 kW | 模块 | - | 面板 | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
146-4362
制造商零件编号IXYX25N250CV1HV
品牌IXYS
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RMB309.85
个
单位
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95 A | 2500 V | ±20 V, ±30V | 1 | 937 W | PLUS247 | - | 通孔 | - | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.34mm |
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RS 库存编号
262-5835
制造商零件编号DDB6U50N22W1RPB11BPSA1
品牌Infineon
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RMB433.93
个
单位
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40 A | 1700 V | ±20V | 1 | - | - | - | PCB | - | 23 | - | - | - |
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RS 库存编号
146-4251
制造商零件编号IXYN30N170CV1
品牌IXYS
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RMB259.373
毎管:10 个
单位
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270 A | 1700 V | ±20V | 1 | 680 W | SOT-227B | 双发射极 | 贴片 | N | 4 | - | 单 | 38.23 x 25.42 x 9.6mm |
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RS 库存编号
202-4063
制造商零件编号NFAL5065L4B
品牌onsemi
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RMB363.583
毎管:24 个
单位
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50 A | 650 V | 15V | 6 | - | C4-caa SPM49 | 3 相 | 通孔 | N | - | - | - | - |
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RS 库存编号
235-2767
制造商零件编号RGWX5TS65DHRC11
品牌ROHM
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RMB43.12
/个 (每包:2个)
单位
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50 A | 650 V | ±30V | 1 | 348 W | TO-247N | 单 | 通孔 | N | 3 | - | 共发射极 | - |
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RS 库存编号
214-8783
制造商零件编号AFGHL75T65SQDC
品牌onsemi
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RMB62.449
毎管:30 个
单位
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75 A | 650 V | ±20V | 1 | 375 W | TO-247 | - | - | N | 3 | - | 单 | - |
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RS 库存编号
249-6947
制造商零件编号IKW75N65SS5XKSA1
品牌Infineon
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RMB101.916
毎管:30 个
单位
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75 A | 650 V | 15V | 2 | 395 W | PG-TO247-3 | 单 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
274-1350
制造商零件编号VS-GT90SA120U
品牌Vishay
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RMB373.697
毎管:10 个
单位
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169 A | 1200 V | ± 20V | 1 | 781 W | SOT-227 | 单 | 面板 | N | 4 | - | - | - |
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RS 库存编号
229-1787
制造商零件编号FS820R08A6P2LBBPSA1
品牌Infineon
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RMB3,987.287
Each (In a Tray of 6)
单位
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820 A | 750 V | +/-20V | 6 | 20 mW | AG-HYBRIDD-1. | - | - | N | 33 | - | - | - |
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RS 库存编号
260-5083
制造商零件编号IDP20E65D2XKSA1
品牌Infineon
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RMB10.744
/个 (每包:5个)
单位
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- | - | - | - | 120 W | PG-TO220-2-1 | 单 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
218-4397
制造商零件编号IHW30N135R5XKSA1
品牌Infineon
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RMB20.098
/个 (每包:5个)
单位
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30 A | 1350 v | 20V | 1 | 330 W | TO-247 | - | - | N | 3 | - | - | - |
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RS 库存编号
218-4825
制造商零件编号STGIPQ4C60T-HZ
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RMB66.41
个
单位
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6 A | 600 V | 600V | 6 | 12.5 W | N2DIP - 26L z 型 | - | - | - | 26 | - | 串行 | - |
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RS 库存编号
229-6437
制造商零件编号NFAQ1560R43T
品牌onsemi
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RMB107.026
毎管:400 个
单位
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- | 600 V | - | 6 | 50 W | DIP | - | - | N | 38 | - | 串行 | - |
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RS 库存编号
233-3496
制造商零件编号FF600R12KT4HOSA1
品牌Infineon
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RMB1,800.923
Each (In a Tray of 10)
单位
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600 A | 1200 V | ±20V | 2 | - | AG-62 毫米 | 双 | - | N | - | - | 串行 | - |
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RS 库存编号
258-0901
制造商零件编号FS75R12KT3BPSA1
品牌Infineon
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RMB976.96
个
单位
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- | 1200 V | ±20V | - | 355 W | AG-ECONO2B-311 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
258-0848
制造商零件编号FF500R17KE4BOSA1
品牌Infineon
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RMB2,242.062
Each (In a Tray of 10)
单位
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- | 1700 v | ±20V | - | - | AG-62MMHB-411型 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
260-5103
制造商零件编号IKW40N65WR5XKSA1
品牌Infineon
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RMB17.09
毎管:30 个
单位
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- | 650 V | ±20V | - | 230 W | PG-TO247-3 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
273-7403
制造商零件编号FP50R12KT3BOSA1
品牌Infineon
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RMB1,385.76
个
单位
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75 A | 1200 V | +/-20V | - | 280 W | 模块 | - | 面板 | - | - | - | - | - |
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
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