IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 配置 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 尺寸
RS 库存编号 207-4961
制造商零件编号CM200DY-24T #300G
RMB1,311.84
个 (以毎盒:10)
单位
200 1200 V 20V 2 - 模块 PCB N - - 双路半桥接 -
RS 库存编号 273-7414
制造商零件编号FZ600R12KE4HOSA1
品牌Infineon
RMB1,727.322
Each (In a Tray of 10)
单位
600 A 1200 V +/-20V - 3 kW 模块 - 面板 - - - - -
RS 库存编号 146-4362
制造商零件编号IXYX25N250CV1HV
品牌IXYS
RMB309.85
单位
95 A 2500 V ±20 V, ±30V 1 937 W PLUS247 - 通孔 - 3 - 16.13 x 5.21 x 21.34mm
RS 库存编号 262-5835
制造商零件编号DDB6U50N22W1RPB11BPSA1
品牌Infineon
RMB433.93
单位
40 A 1700 V ±20V 1 - - - PCB - 23 - - -
RS 库存编号 146-4251
制造商零件编号IXYN30N170CV1
品牌IXYS
RMB259.373
毎管:10 个
单位
270 A 1700 V ±20V 1 680 W SOT-227B 双发射极 贴片 N 4 - 38.23 x 25.42 x 9.6mm
RS 库存编号 202-4063
制造商零件编号NFAL5065L4B
品牌onsemi
RMB363.583
毎管:24 个
单位
50 A 650 V 15V 6 - C4-caa SPM49 3 相 通孔 N - - - -
RS 库存编号 235-2767
制造商零件编号RGWX5TS65DHRC11
品牌ROHM
RMB43.12
/个 (每包:2个)
单位
50 A 650 V ±30V 1 348 W TO-247N 通孔 N 3 - 共发射极 -
RS 库存编号 214-8783
制造商零件编号AFGHL75T65SQDC
品牌onsemi
RMB62.449
毎管:30 个
单位
75 A 650 V ±20V 1 375 W TO-247 - - N 3 - -
RS 库存编号 249-6947
制造商零件编号IKW75N65SS5XKSA1
品牌Infineon
RMB101.916
毎管:30 个
单位
75 A 650 V 15V 2 395 W PG-TO247-3 - - - - - -
RS 库存编号 274-1350
制造商零件编号VS-GT90SA120U
品牌Vishay
RMB373.697
毎管:10 个
单位
169 A 1200 V ± 20V 1 781 W SOT-227 面板 N 4 - - -
RS 库存编号 229-1787
制造商零件编号FS820R08A6P2LBBPSA1
品牌Infineon
RMB3,987.287
Each (In a Tray of 6)
单位
820 A 750 V +/-20V 6 20 mW AG-HYBRIDD-1. - - N 33 - - -
RS 库存编号 260-5083
制造商零件编号IDP20E65D2XKSA1
品牌Infineon
RMB10.744
/个 (每包:5个)
单位
- - - - 120 W PG-TO220-2-1 - - - - - -
RS 库存编号 218-4397
制造商零件编号IHW30N135R5XKSA1
品牌Infineon
RMB20.098
/个 (每包:5个)
单位
30 A 1350 v 20V 1 330 W TO-247 - - N 3 - - -
RS 库存编号 218-4825
制造商零件编号STGIPQ4C60T-HZ
RMB66.41
单位
6 A 600 V 600V 6 12.5 W N2DIP - 26L z 型 - - - 26 - 串行 -
RS 库存编号 229-6437
制造商零件编号NFAQ1560R43T
品牌onsemi
RMB107.026
毎管:400 个
单位
- 600 V - 6 50 W DIP - - N 38 - 串行 -
RS 库存编号 233-3496
制造商零件编号FF600R12KT4HOSA1
品牌Infineon
RMB1,800.923
Each (In a Tray of 10)
单位
600 A 1200 V ±20V 2 - AG-62 毫米 - N - - 串行 -
RS 库存编号 258-0901
制造商零件编号FS75R12KT3BPSA1
品牌Infineon
RMB976.96
单位
- 1200 V ±20V - 355 W AG-ECONO2B-311 - - - - - - -
RS 库存编号 258-0848
制造商零件编号FF500R17KE4BOSA1
品牌Infineon
RMB2,242.062
Each (In a Tray of 10)
单位
- 1700 v ±20V - - AG-62MMHB-411型 - - - - - - -
RS 库存编号 260-5103
制造商零件编号IKW40N65WR5XKSA1
品牌Infineon
RMB17.09
毎管:30 个
单位
- 650 V ±20V - 230 W PG-TO247-3 - - - - - - -
RS 库存编号 273-7403
制造商零件编号FP50R12KT3BOSA1
品牌Infineon
RMB1,385.76
单位
75 A 1200 V +/-20V - 280 W 模块 - 面板 - - - - -

IGBT

IGBT是什么?

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

  • 优点:热稳定性好、安全工作区大。
  • 缺点:击穿电压低,工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

  • 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

  • 电动机
  • 不间断电源
  • 太阳能面板安装
  • 电焊机
  • 电源转换器与反相器
  • 电感充电器
  • 电磁炉

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