MOSFET
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筛选条件
| 描述 | 价格 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 系列 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | |
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RS 库存编号
708-2841
制造商零件编号2N6661-E3
品牌威世
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RMB203.34
个
单位
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N | 0.9 A | 90 V | TO-205AD | 4 Ω | - | 通孔 | 3 | ±20 V | 增强 | - | 0.8V | 6250 mW | - |
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RS 库存编号
710-4660
制造商零件编号SI2301BDS-T1-E3
品牌威世
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RMB2.155
/个 (每包:20个)
单位
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P | 2.2 A | 20 V | SOT-23 | 100 mΩ | - | 贴片 | 3 | -8 V、+8 V | 增强 | - | 0.45V | 700 mW | - |
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RS 库存编号
540-9698
制造商零件编号IRFR9220PBF
品牌威世
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RMB10.12
个
单位
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P | 3.6 A | 200 V | DPAK (TO-252) | 1.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 2V | 2.5 W | 单 |
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RS 库存编号
180-7345
制造商零件编号SIHG47N65E-GE3
品牌威世
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RMB39.809
毎管：25 个
单位
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RS 库存编号
180-7304
制造商零件编号SI5515CDC-T1-GE3
品牌威世
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RMB2.577
个 (在毎卷：3000)
单位
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N，P | 4 A | 20 V | 1206 ChipFET | 0.05 O ， 0.156 O | TrenchFET | 贴片 | 8 | - | 增强 | 0.8V | - | - | - |
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RS 库存编号
180-7305
制造商零件编号SI7113DN-T1-GE3
品牌威世
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RMB5.78
个 (在毎卷：3000)
单位
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RS 库存编号
180-7340
制造商零件编号SIA931DJ-T1-GE3
品牌威世
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RMB1.336
个 (在毎卷：3000)
单位
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RS 库存编号
180-7349
制造商零件编号SIHP21N60EF-GE3
品牌威世
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RMB16.115
毎管：50 个
单位
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RS 库存编号
180-7312
制造商零件编号SI7216DN-T1-E3
品牌威世
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RMB5.78
个 (在毎卷：3000)
单位
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RS 库存编号
180-7398
制造商零件编号SQ2318AES-T1_GE3
品牌威世
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RMB1.421
个 (在毎卷：3000)
单位
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N | 8 A | 40 V | SOT-23 | 0.036 O | TrenchFET | 贴片 | 3 | - | 增强 | 2.5V | - | - | - |
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RS 库存编号
180-7355
制造商零件编号SIR882ADP-T1-GE3
品牌威世
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RMB7.916
个 (在毎卷：3000)
单位
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RS 库存编号
180-7342
制造商零件编号SIHA22N60E-E3
品牌威世
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RMB20.427
毎管：50 个
单位
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RS 库存编号
180-7307
制造商零件编号SI7119DN-T1-GE3
品牌威世
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RMB3.593
个 (在毎卷：3000)
单位
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RS 库存编号
180-7298
制造商零件编号SI4900DY-T1-E3
品牌威世
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RMB4.125
个 (在毎卷：2500)
单位
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N | 5.3 A | 60 V | SO-8 | 0.072 O | TrenchFET | 贴片 | 8 | - | 增强 | 3V | - | - | - |
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RS 库存编号
180-7322
制造商零件编号SI7898DP-T1-E3
品牌威世
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RMB5.889
个 (在毎卷：3000)
单位
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RS 库存编号
180-7285
制造商零件编号SI4204DY-T1-GE3
品牌威世
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RMB8.042
个 (在毎卷：2500)
单位
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N | 19.8 A | 20 V | SO-8 | 0.006 O | TrenchFET | 贴片 | 8 | - | 增强 | 2.4V | - | - | - |
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RS 库存编号
180-7325
制造商零件编号SI7997DP-T1-GE3
品牌威世
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RMB8.847
个 (在毎卷：3000)
单位
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RS 库存编号
180-8358
制造商零件编号IRL520PBF
品牌威世
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RMB7.729
毎管：50 个
单位
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RS 库存编号
180-8351
制造商零件编号IRFU120PBF
品牌威世
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RMB4.783
毎管：75 个
单位
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RS 库存编号
180-7287
制造商零件编号SI4425DDY-T1-GE3
品牌威世
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RMB2.949
个 (在毎卷：2500)
单位
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P | 19.7 A | 30 V | SO-8 | 0.0165 O | TrenchFET | 贴片 | 8 | - | 增强 | 2.5V | - | - | - |
MOSFET
MOSFET是什么？
MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
MOSFET的分类
- PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
- NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
- 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
- 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。
这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。
MOSFET的工作原理
MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。
RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。
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